NPN、PNP電晶體，上拉／下拉開關電路圖應用

因為學藝不精，把高中學的都還給老師了。
NPN和PNP電晶體的CBE／EBC腳位的使用方式和負載如何上拉、下拉導通，透過AI惡補還是一個頭兩個大。
最後終於找到這張範例圖，趕快給自己一個筆記，以後找資料至少有跡可循…@@

工作原理：

開關功能延伸應用方式：

PNP電晶體：

導通條件（低電位導通）：當 B 極電壓比 E 極電壓低約 0.7V 時（Vb – Ve <= -0.7V），電晶體導通，電流由 E 極流向 C 極。

**註：因為 B 比 E 低，相減一定是負值。例如 E 是 5V，B 是 4.3V，則 4.3V – 5V = -0.7V。

關閉條件（高電位關閉）：當 B 極電壓接近或等於 E 極電壓時（Vb – Ve ~= -0.7V），電晶體關閉。

**註：當壓差小於 0.7V（例如變成了 -0.2V 或 0V），電晶體就斷開了。

負載位置：負載通常接在 C 極與接地端（負極）之間。

NPN電晶體：

導通條件（高電位導通）：當 B 極電壓比 E 極電壓高約 0.7V 時（Vb – Ve >= +0.7V），電晶體導通，電流由 C 極流向 E 極。

關閉條件（低電位關閉）：當 B 極電壓接近或等於 E 極電壓時（Vb – Ve ~= +0.7V），電晶體關閉。

**註：只要 B 極沒辦法比 E 極高出 0.7V（例如壓差只有 0.3V 或 0V），電晶體就無法導通。

負載位置：負載通常接在正電壓源與 C 極之間。