NPN、PNP電晶體，上拉／下拉開關電路圖應用

因為學藝不精，加上工作後很少持續應用電子元件，幾乎把高中實習課學的都還給老師了。
到底要怎麼利用NPN和PNP電晶體的CBE／EBC腳位的使用方式，和負載如何上拉、下拉導通，即使透過AI惡補一翻，仍然還是一個頭兩個大。
經過持續的回想和理解，以及最後終於找到這張範例圖，總算是有點心得。
趁目前還有印象，趕快給自己一個筆記記錄著，至少以後找資料至少有跡可循…哈。

工作原理(出處 https://www.reddit.com/r/arduino/comments/43pwpf/eli5_when_to_use_npn_transistors_and_when_to_use/?tl=zh-hant)：

開關功能延伸應用方式(出處 https://bbs.pigoo.com/thread-50418-1-2.html)：

PNP電晶體：
導通條件：當 B極 電壓比 E極 電壓低約 -0.7V 時（Vb － Ve ～＝ -0.7V），電晶體開始導通。
電流方向： 由 E極 流向 C極。
**註：因電壓 Vb 比 Ve 低，相減是負值。例如 E極 是 5V，B極 是 4.3V，則 4.3V － 5V ＝ -0.7V。
關閉條件：當 B極 電壓接近或等於 E極 電壓時（Vb － Ve ～＝ 0V），電晶體關閉。
**註：當壓差小於 -0.7V（例如回升變成了 -0.2V 或 0V），電晶體會逐漸關閉。
換言之， B極 的電壓供應值，可能會跟 E極 電壓供應值，兩者略為相等時，才能設計 Vb差值 來控制導通電晶體開關。
負載位置：負載通常接在 C極 與 接地端（負極）之間，高端開關（High-side switch）。

NPN電晶體：
導通條件：當 B極 電壓比 E極 電壓高約 +0.7V 時（Vb － Ve ～＝ +0.7V），電晶體開始導通。
電流方向：電流由 C極 流向 E極。

關閉條件：當 B極 電壓接近或等於 E 極電壓時（Vb － Ve ～＝ 0V），電晶體關閉。
**註：只要 B極 沒辦法比 E極 高出 +0.7V（例如壓差只有 +0.3V 或 0V），電晶體就無法導通。
換言之，B極 的電壓供應值，不一定要跟 E極 電壓供應值接近或相同，但只要有 正電+0.7V 提供就能控制導通電晶體開關。
負載位置：負載通常接在 正電壓源(正極) 與 C極 之間，低端開關（Low-side switch）。

電路設計注意事項：
電晶體功能和特性要找DATASHEET看細節參數以外，大原則是控制 B極 的電壓源要留意 ＜±5V 以下的Vbe控制電壓，不然會破壞造成損壞。
為避免損壞電晶體，B極 可以試著利用串聯電阻分壓電路，做出ON／OFF為 0.6~0.8V 的變化值。
同時，電晶體 B極 需要串接電阻限制電流輸入供應（Ib），避免過電流燒毀
但若需確保電晶體 B極 能完全導通，電壓值設定需讓電晶體進入飽和區（Vce(sat)）確保功能ON／OFF。

其他參考來源：
https://d1.amobbs.com/bbs_upload782111/files_10/ourdev_280307.pdf
https://d1.amobbs.com/bbs_upload782111/files_10/ourdev_280308.pdf
https://www.reddit.com/r/arduino/comments/43pwpf/eli5_when_to_use_npn_transistors_and_when_to_use/?tl=zh-hant
https://bbs.pigoo.com/thread-14600-1-5.html
https://bbs.pigoo.com/thread-14642-1-1.html
https://bbs.pigoo.com/thread-50418-1-2.html